IGBT (transistor bipolar de la porta aïllada) és un component bàsic en els sistemes electrònics de potència de vehicles d’energia nous (NEV), utilitzats principalment per a la conversió i control de potència. As a highly efficient semiconductor device, IGBT plays a critical role in vehicle efficiency and reliability. CIVEN METAL's high-quality

IGBT pot gestionar càrregues d’alta potència en espais compactes, fent-lo adequat per a entorns d’automòbils restringits per l’espai que requereixen operacions d’alt rendiment.

Els IGBT generen calor significativa durant el funcionament, necessitant materials amb una dissipació de calor excel·lent i estabilitat tèrmica per assegurar un rendiment fiable en condicions d’alta temperatura.

IGBT és fonamental en les unitats del motor, regulant la velocitat i la potència de la potència de motors elèctrics, millorant l'eficiència energètica i el rendiment de la conducció en NEV.

Els materials de coure de Civen Metal presenten una excel·lent conductivitat tèrmica, dissipant ràpidament la calor generada durant l’operació IGBT, garantint l’estabilitat tèrmica i la fiabilitat del sistema.

Amb una conductivitat elèctrica excepcional, els materials de coure redueixen significativament les pèrdues d’energia dins de l’IGBT, millorant l’eficiència global del sistema, particularment en les NEV conscients de l’energia.

Els materials de coure ofereixen una excel·lent ductilitat i força, cosa que els fa adequats per a processos de fabricació de precisió com ara estampació, soldadura i recobriment superficial.

Els materials compleixen els estàndards mediambientals internacionals i presenten una excel·lent resistència a l’oxidació i a la corrosió, ampliant la vida útil dels components IGBT en condicions dures.